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美光内存路线图:单条64GB马上来 10nm级工艺

2019-6-30 20:34| 发布者: 哥不帅但很坏| 查看: 299| 评论: 0

摘要: 分歧于CPU处理器等逻辑芯片的创造工艺都切确到具体数值,闪存、内存工艺始终都是很含混的叫法,比如10nm-class(10nm级别),只是介于20nm以及10nm之间,而后又分为1xnm、1ynm、1znm等分歧版本,越来越先进,越来越濒 ...

分歧于CPU处理器等逻辑芯片的创造工艺都切确到具体数值,闪存、内存工艺始终都是很含混的叫法,比如10nm-class(10nm级别),只是介于20nm以及10nm之间,而后又分为1xnm、1ynm、1znm等分歧版本,越来越先进,越来越濒临真正的10nm。


随着先进半导体工艺难度的急剧回升,Intel这样的巨擘都起头吃没有消,正在工艺上一贯精打细算的闪存内存厂商也走出了一条新路,比如美光。

相比三星、SK海力士,美光尽管也是DRAM内存巨擘之一,但工艺始终没有算很先进,10nm级上更是玩出了花活,挤牙膏手段之别致让Intel都邑自叹弗如。

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美光早已有了成熟的第一代10nm级工艺也就是1xnm,目前正在扩大产能的是第二代1ynm,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。

当前美光正在与客户验证第三代1znm,预计很快就会官宣,并在2020财年(今年9月开始)投入量产,据称会主要用来生产16Gb LPDDR5、DDR5颗粒。

按照DRAM内存行业以往的惯例,接下来就要超越10nm级工艺了,但想进入个位数时代实在太难,美光计划在1nm级上多呆几年,并准备了至少三种新的10nm级工艺:1αnm、1βnm、1γnm——没错,都用上希腊字母了。

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如此一来,美光将会有多达六种10nm级工艺,有调研机构称美光其实还有个升级版的1xsnm,但没有得到官方确认,如果属实将有七种,切不排除未来增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm当然会一个比一个更先进,一个比一个更逼近10nm,不过具体细节美光暂未披露,只是说会在1βnm、1γnm阶段会用上沉浸式四重曝光技术,比现在的双重曝光、三重曝光更复杂。

同时,美光还在评估EUV极紫外光刻技术,预计届时只需双重曝光,可大大降低工艺复杂度,但具体什么时候、在哪代工艺上使用,美光还没有做出决定。

美光预计,DRAM内存生产中每一个EUV层需求1.5-2套EUV光刻机,月产能可达10万片晶圆,CPU等逻辑芯片则需求一个EUV层对应一台EUV光刻机,月产能也仅有4.5万片晶圆。

目前,台积电、三星曾经开端在7nm工艺晋级版上局部引入EUV,接上去的5nm上会片面部署,DRAM内存行业显然不会那么快。

另外,台北电脑展上咱们曾经见到威刚、英睿达(美光生产级品牌)展现单条32GB DDR4 UDIMM生产级内存条,应用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4颗粒。

美光透露,还会用这种颗粒制造单条64GB容量的RDIMM服务器内存。


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